კომპანია Samsung-მა განაცხადა, რომ იწყებს სწრაფად მოქმედი NAND ფლეშ-მეხსიერების წარმოებას Toggle DDR2-ის ინტერფეისით.
20 ნანომეტრიანი მიკროჩიპები იწარმოება (MLC) მრავალდონიანი უჯრედების ტექნოლოგიით და აქვს 64გიგაბიტი (8 გიგაბაიტი) მოცულობა.ინტერფეისი Toggle DDR2 უზრუნველყოფს 400 მეგაბიტი/წამში გამტარუნარიანობას. ეს 10-ჯერ უფრო მეტია ვიდრე დღეს გავრცელებული Single Data Rate SDR NAND (40 მეგაბიტი/წმ.) და დაახლოებით სამჯერ მეტია DDR1 (133 მეგაბიტი/წმ) ინტერფეისზე.
მოსალოდნელია, რომ Samsung-ის ახალი ფლეშ-მეხსიერების მიკროსქემები გამოყენებული იქნება სმარტფონებში, პლანშეტურ კომპიუტერებში და ა.შ.
შეგახსენებთ რომ Toshiba მზადაა გამოუშვას NAND მეხსიერება 19 ნანომეტრიანი ტექნოლოგიით. გასულ თვეს კომპანიამ დაიწყო 8 გიგაბაიტიანი ორ-ბიტიანი უჯრედებით მიკროსქმებების საცდელი წარმოება. თექვსმეტი ასეთი ჩიპი ერთ კორპუსში შესაძლებლობას იძლევა შევქმნათ 128 გიგაბაიტიანი მეხსიერება კომუნიკატორებისთვის, პლანშეტებისა და სხვა გაჯეტებისათვის.
გამოყენებულია PhysOrg-ის მასალები.