კომპანია Samsung-მა პირველად მსოფლიოში განაცხადა მახსოვრობის DDR3 DRAM მიკროსქემის გამოშვების შესახებ, რომლის წარმოებაშიც იქნება გამოყენებული 30-ნანომეტრული ტექნოლოგია.
DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — დინამუირი მეხსიერება რომლეიც გამოყენბული იქნება სხვადასხვა მოწყობილობებში. DDR3 მოიხმარს 40%-ით ნაკლებ ენერგიას ვიდრე DDR2, რომელიც გამოწვეულია კვების ბლოკის ძაბვის შემცირებით 1,8-დან 1,5-მდე.
კომპანია Samsung-ის განცხადებით 30-ნანომეტრული მიკროსქემა DDR3 DRAM-ს დასჭირდება 30%-ით ნაკლები ენერგია, ვიდრე ჩიპებს, რომელიც წარმოებულია 40-ნანომეტრული მეთოდით. DDR3 DRAM -ის გამოყენება ნოთბუქს მისცემს შეასძლებლობას გაზარდოს მუშაობის ხანგრძლიოვბა.
მოცემული მოდელების მიკროსქემებს აქვთ 2 გიგაბაიტი მოცულობა; კვების ბლოკის ძაბვა შეიძლება შედგენდეს 1,5 ან 1,35 ვოლტს. მოსლაოდნელია, რომ ჩიპები გამოყენებული იქნება პერსონალურ კომპიუტერებში, ლეპტოპებში, ნოუთბუქებში და ასევე სასერვერო და მობილურ მოწყობილობებში.
30-ნანომეტრული მიკროსქემების DDR3 DRAM-ის მასიურ წარმოებას კომპანია Samsung გეგმავს მიმდინარე წლის მეორე ნახევარში.
გამოყენებულია PC World-ის მასალები.