Micron-მა წარმოადგინა პირველი სრულფუნქციონალური მეხსიერების მოდული DDR4 DRAM
კომპანია Micron-მა დაიწყო თავისი პირველი სრულფუნქციონალური ოპერატიული მეხსიერების მოდულის DDR4 DRAM-ის ნიმუშების მიწოდება. DDR4 წარმოადგენს DDR-ის წინა თაობების ევოლუციონურ განვითარებას. ახალი თაობის მეხსიერება გამოირჩევა გაზრდილი სიხშირის მახასიათებლებით და კვების ძაბვის შემცირებით. Micron-ის ნაწარმი, რომელიც დამზადებულია Nanya-სთან ერთად, იწარმოება 30-ნანომეტრიანი ტექნლოგიით 4 გბ-ანი მიკროსქემით. თავიდან მოდული DDR4 უზრუნველყოფს სიჩქარეს 2 400 მლნ-მდე გადაცემას წამში (megatransfers per second); პერსპექტივაში ეს მაჩვენებელი იზრდება […]
Samsung იწყებს მაღალსიჩქარიანი MLC NAND მეხსიერების წარმოებას
კომპანია Samsung-მა განაცხადა, რომ იწყებს სწრაფად მოქმედი NAND ფლეშ-მეხსიერების წარმოებას Toggle DDR2-ის ინტერფეისით. 20 ნანომეტრიანი მიკროჩიპები იწარმოება (MLC) მრავალდონიანი უჯრედების ტექნოლოგიით და აქვს 64გიგაბიტი (8 გიგაბაიტი) მოცულობა.ინტერფეისი Toggle DDR2 უზრუნველყოფს 400 მეგაბიტი/წამში გამტარუნარიანობას. ეს 10-ჯერ უფრო მეტია ვიდრე დღეს გავრცელებული Single Data Rate SDR NAND (40 მეგაბიტი/წმ.) და დაახლოებით სამჯერ მეტია DDR1 (133 მეგაბიტი/წმ) ინტერფეისზე. მოსალოდნელია, […]
Toshiba მყარი დისკების სფეროში გარღვევას გვპირდება
კორპორაცია Toshiba ახლოსაა ახალი ტიპის მყარი დისკების შექმნასთან, რომელსაც რამდენიმეჯერმე მეტი ტევადობა ექნება თანამედროვე გამოშვებებთან შედარებით. დღესდღეობით ხელმისაწვდომ ვინჩესტერებში ინფორმაცია იწერება პატარა წაწვეტებული მეტალით, რომელიც ამაგნიტებს მილიარდობით დისკრეტულ ზონებს —დომენებს, მბრუნავ დისკრზე. ყოველი ეს მონაკვეთი წარმოადგენს ლოგიკურ ნულს ან ერთიანს, დამაგნიტებულობის მიხედვით. ერთი დომელი ასევე შიძლება შედგებოდეს ათობით და ათასობითაც კი მაგნიტური “მარცვლებისგან”, რაც შესაბამისად […]
Kingston-ის 2,400MHz HyperX ყველაზე ჩქარი მეხსიერება Core i7 პროცესორისათვის.
იმათთვის ვისაც ვერ გადაუწყვეტია რომელი სწრაფი DDR3 მეხსიერების მოდული გამოიყენოს მათი Core i7 პროცესორებისთვის, ინტელმა წარმოადგინა მისი თავსებადობის ცხრილი. პირველი ვინც გამოეხმაურა ამ სიას არის კომპანია Kingston რომელმაც წარმოადგინა 2.25 გიგაჰერციანი HyperX მეხსიერების მოდულები მას შემდეგ რაც გამოვიდა Corsair-ის 2.33 გიგაჰერციანი მოდელი. Kingston-ის მოდულები მუშაობს 1.65 ვოლტზე და უზრუნველყოფს 9-11-9-27-2 ტაიმინგებს.
Samsung-პირველად მსოფლიოში 30-ნანომეტრიანი მიკროჩიპი DDR3 DRAM
კომპანია Samsung-მა პირველად მსოფლიოში განაცხადა მახსოვრობის DDR3 DRAM მიკროსქემის გამოშვების შესახებ, რომლის წარმოებაშიც იქნება გამოყენებული 30-ნანომეტრული ტექნოლოგია. DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — დინამუირი მეხსიერება რომლეიც გამოყენბული იქნება სხვადასხვა მოწყობილობებში. DDR3 მოიხმარს 40%-ით ნაკლებ ენერგიას ვიდრე DDR2, რომელიც გამოწვეულია კვების ბლოკის ძაბვის შემცირებით 1,8-დან 1,5-მდე. კომპანია Samsung-ის განცხადებით 30-ნანომეტრული მიკროსქემა DDR3 DRAM-ს დასჭირდება 30%-ით ნაკლები ენერგია, ვიდრე […]